Samsung построит в США фабрику чипов для AMD и Nvidia — она выпустит логику для HBM4
По данным отраслевых источников, Samsung закрепила весь выпуск Fab 2 в Тейлоре за базовыми кристаллами HBM для AMD и Nvidia; значительная часть объёма предназначена AMD.
Samsung Electronics планирует начать в ноябре 2026 года строительство второй фабрики в Тейлоре, штат Техас, США. Отраслевые источники утверждают, что компания завершила согласование поставок базовых кристаллов HBM с AMD и Nvidia, однако Samsung не подтверждала номенклатуру выпуска Fab 2.
Fab 2 оснастят для производства микросхем по техпроцессу класса 2 нм. Монтаж оборудования планируется начать в феврале 2029 года, а массовое производство — в 2030 году. Эти кристаллы будут размещаться под вертикальной стопкой DRAM-чипов и управлять обменом данными с ускорителями.
Для HBM четвёртого поколения базовые кристаллы получают более сложную логику, адаптированную под архитектуры ускорителей. Nvidia при этом продвигает NVHBM, при которой контроллер памяти переносится из GPU в базовый кристалл. Если этот подход станет стандартом, по оценке некоторых наблюдателей, преимущество Samsung в проектировании и производстве таких кристаллов может ослабнуть.
